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上海功成半導體科技有限公司——聚焦光儲充 邁向碳中和

來源:上海功成半導體科技有限公司 瀏覽量:277次
【導讀】上海功成半導體科技有限公司將在1號館1C033展位亮相。

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第十一屆中國電子信息博覽會(CITE 2023)將于2023年4月7-9日登陸深圳會展中心(福田),以“創新引領 協同發展”為主題,在80000平方米展示面積打造全產業鏈科技應用場景,硬科技同臺“飆技”,掀起一場信息產業的新浪潮!屆時,上海功成半導體科技有限公司將在1號館1C033展位亮相。


上海功成半導體科技有限公司(CoolSemi)成立于2018年5月,總部位于上海,在無錫、深圳、成都等地設立分公司。功成半導體以市場需求為導向,技術創新驅動,致力于半導體功率器件的研發與產業化,為客戶提供高效可靠的產品。主要從事低壓屏蔽柵SGT、高壓超結SJ、溝槽柵場截止型IGBT、SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模塊IPM、功率IC的設計和研發。


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展品1

展品名稱:SJ MOSFET

展品類別:功率器件


展品特點:SJ MOSFET(Super Junction MOSFET)超結功率器件采用N型和P型周期排列結型耐壓層,突破了傳統硅基MOS器件的理論極限,相對于傳統平面VDMOS器件Rdson*A-BV的2.5次方關系,SJ MOSFET的導通電阻與擊穿電壓達到近似線性的關系。因此SJ MOSFET的導通電阻RDS(on)、柵極容值和輸出電荷以及管芯尺寸同時得到明顯降低,成為高壓開關轉換器領域的高效率典型功率器件。


CoolSemi的高壓SJ MOSFET,在全 球領先的華虹宏力Deep-Trench工藝平臺上,采用專利器件結構及特色工藝,開發出了覆蓋500V~1000V電壓平臺和14mΩ~4000mΩ導通電阻的G1、G2、G3、G4、G5系列產品。憑借針對開關速度、反向恢復時間、開關損耗、EMI兼容性、高可靠性的獨特優化設計,產品不僅在充電樁、工業電源、5G通訊、光伏、新能源車載充電機等工業和車載產品上大量使用,也在TV電源、適配器、PD快充、LED照明、顯示器等消費領域廣泛應用。


典型應用產品:充電樁、工業電源、5G通訊、光伏、新能源車載充電機等工業和車載產品上大量使用,也在TV電源、適配器、PD快充、LED照明、顯示器等消費領域。



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展品2

展品名稱:IGBT

展品類別:功率器件


展品特點:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)絕緣柵雙極晶體管,是在普通VDMOS基礎上,晶圓背面增加了P+注入,利用電導調制效應在漂移區增加載流子數量,從而大幅度降低器件的導通電阻和芯片面積。IGBT器件電流密度高且功耗低,能夠顯著提高能效、降低散熱需求,適用于高電壓、大電流等大功率場景。


Coolsemi的IGBT采用目前業內最新的trench FS工藝,依托于國內成熟且工藝領先的8寸/12寸晶圓生產線,擁有更低的導通壓降和開關損耗,以及更強的可靠性。目前功成IGBT產品根據應用場景的不同,擁有F、S、D、L等系列,覆蓋了600V~1200V以及5A~100A的功率范圍,廣泛應用于通用逆變器、光伏逆變器、UPS、感應加熱設備、大型家電、電焊接、開關電源以及汽車電子等領域。


典型應用產品:通用逆變器、光伏逆變器、UPS、感應加熱設備、大型家電、電焊接、開關電源以及汽車電子等領域。


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2023-03-21 09:22:09
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